La plupart des dispositifs de stockage de mémoire électronique nécessitent la capacité de piéger un grand nombre d'électrons pour chaque bit de mémoire. Cependant, dans un monde idéal, il suffirait d’un seul électron. Cela réduirait les besoins en espace et la consommation électrique des appareils. Aujourd’hui, une équipe chinoise a atteint cet objectif avec un dispositif ultrafin capable de minimiser la capacité parasite qui a gêné les tentatives précédentes. La nouvelle étude, publiée dans Science, décrit comment ce nouveau dispositif a surmonté les défis liés à la mise en œuvre de la conception à un seul électron.