Des chercheurs de l'Université d'Osaka, en collaboration avec l'Université Ritsumeikan, ont démontré que la culture de nitrure de gallium dopé à l'europium (GaN dopé à l'Eu) sur un plan cristallin semi-polaire améliore considérablement l'émission de lumière rouge. L’équipe a découvert que cette approche favorise sélectivement la formation de centres luminescents Eu très efficaces, ce qui entraîne une intensité d’émission rouge plus de 3,6 fois supérieure à celle du matériau du plan polaire cultivé de manière conventionnelle.