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Atteindre une faible résistance et des performances élevées dans les jonctions de tunnel magnétique à l'aide d'oxydes à haute entropie

Une équipe de recherche NIMS a développé une jonction de tunnel magnétique (MTJ) avec une barrière de tunnel faite d'un oxyde à forte entropie composé d'éléments métalliques multiples. Ce MTJ a simultanément démontré une magnétisation perpendiculaire plus forte, un rapport magnétorésistance de tunnel plus élevé (TMR) (c'est-à-dire le changement relatif de la résistance électrique lorsque les directions d'aimantation des deux couches ferromagnétiques se déplacent entre les alignements parallèles et antiparallel) et la résistance électrique plus faible.

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